기 때문에 쓰기, 읽기, 주소지정 동작이 실행되고, 데이터 버스를 따라 데이터가 이동된다. 전류를 흐르게 할 부분에 다이오드를 달아 데이터를 저장한다.
- 쓰기 동작 : 기억장치에 데이터를 저장하는 동작으로, 1Byte의 데이터를 기억장치에 저장하는 쓰기과정을 단계별로 나타낸다.
· 1단계 : 주소 레지스터에 있는 주소코드를 주소 코드에 싣는 다음 주소 디코더는 주소를 해석하여 기억장치의 위치를 선택한다.
· 2단계 : 기억장치는 쓰기 명령을 받아 데이터 레지스터에 있던 데이터를 데이터 버스에 싣는다.
· 3단계 : 주소에 근거하여 선택된 기억장치 위치에 데이터를 저장하여 쓰기 동작을 완료한다.
- 읽기 동작 : 기억장치에 저장되어 있는 데이터를 인출해 요구한 장치로 전달해주는 동작이다. 1Byte의 데이터를 지정된 주소 위치에서 읽는 과정을 단계별로 나타낸다.
· 1단계 : 주소 레지스터에 있는 주소코드를 주소 코드에 싣는 다음 주소 디코더는 주소를 해석하여 기억장치의 위치를 선택한다.
· 2단계 : 기억장치는 읽기 명령을 받아 선택된 기억장치 주소에 저장되어 있던 바이트 데이터를 데이터 버스에 싣는다.
· 3단계 : 기억장치에서 읽은 데이터를 데이터 레지스터에 적재하여 읽기 동작을 완료한다.
3. Explain the Memory types and its Characteristics.
● ROM( Read Only Memory )
· 전원을 제거 하더라도 정보가 남아 있는 비휘발성 메모리이다.
· 데이터를 저장하고 변경 할 수 없거나, 변경 시 특별 동작을 요구한다.
· Mask ROM
- Memory Cell로 다이오드를 사용한다.
- 대량 생산이 가능하다.
- 내용을 수정할 수 없다.
- 가격이 저렴하다.
- 트랜지스터로 만드는 기술 또는 MOS 기술로 만든다.
· Programmable ROM
- Memory Cell에 오직 1개의 프로그램을 하여 다이오드를 사용한다.
- PROM Program을 하는 유저가 사용한다.
- 트랜지스터를 사용하는 타입이다.
· Erasable PROM
- 강한 자외선을 쬐어 줘야 내용이 지워진다.
- 사용 할 때는 저항, 사용하지 않을 때는 자외선에 닿아야 동작한다.
- 강한 전압으로 보통 12V를 사용한다.
· Electrically EPROM
- EAROM이라고도 하며 전자적인 EPROM이다.
- Byte 단위로 지울 수 있다.
- 지울 때 약간의 시간이 소요된다.
- 트랜지스터로 만드는 기술 또는 MOS 기술로 만든다.
· Flash Memory
- 블록 단위로 지울 수 있다.
- 더 많이 지울 수 있다.
- 쓰고 지움이 자유롭다.
- 수명을 가지고 있어 자주 쓸수록(사용 전자가 남아있다.) 수명이 단축된다.
● RAM( Random Access Memory )
· 전원을 제거 했을 때 정보가 사라지는 Memory이다.
· Program에 의해 Program을 바꿀 수 있다.
· Static RAM
- 1Bit의 정보를 기억하는 Memory Cell을 사용한다.
- 움직이지 않는 RAM으로 정특성을 갖는다.
- 전원만 가지고 동작을 할 수 있다.(정특성 동작)
- 단위 면적당 사용 할 수 있는 Memory 수가 작다.
- 속도가 매우 빠르다.
- 트랜지스터(4~6개)를 많이 사용한다.
- 3상태 버퍼가 기본 SRAM Cell의 입력과 출력에서 쓰기와 읽기를 결정한다.
- 어드레스 버스가 최소 8~10개 정도 된다.
· Dynamic RAM
- 전력 소모가 크다.
- 하나의 커패시터와 하나의 트랜지스터를 사용한다.
- 전원 이외에 구동할 특별한 신호가 있어야 한다.(동특성)
- 1이면 1, 0이면 0을 1초 동안 약 5000번 Memory에 대한 인식을 계속 기억 할 수 있게 하는 깨끗한 신호를 보낸다.
- 속도가 떨어지지만 Memory Cell 1개당의 가격이 Static RAM보다 싸다.
- PC에 Main Memory로 사용된다.
- 기본 DRAM Cell의 Bit라인에 1/2V의 전압을 인가하면 살짝 올라갔다가 내려간다. 이것으로 1과 0을 결정한다.
4. Design a 8KB Memory system using 4x2 Memory Chip.
● Addressing of Memory system( 4KByte Memory )
- 2개의 Address Line을 이용하여 2개의 출력 Port를 가진다.
- 용량은 1024 Bit를 가진다.
- IC의 개수는 Address Bus 2개의 제곱인 4개의 IC를 가짐으로써
4KB의 Memory를 가진다.
● 8K Byte Memory system 만들기
- 8K Byte Memory system을 만드는 방법에는 2가지 방법이 있다.
- 첫 번째로 위의 4K Byte Memory 그림에서 Memory Cell을 1024에서 2048로 2배 늘려주고 Address Line을 11개 사용하여 IC 4개를 이용하면 8K Byte Memory system이 된다.
- 두 번째로 위의 4K Byte Memory 그림에서 Memory Cell을 1024x8 그대로 사용하고, Address Bus를 1개 더 늘려 IC 8개를 이용하면 8K Byte Memory system이 된다.
5. 레포트를 쓰고 나서...
-강의를 듣고 이 레포트를 쓰면서 Memory System의 세부 내용에 대해 알았습니다. Memory Cell이 무엇인지, Memory의 동작은 어떻게 하는지, Memory의 종류와 그 특성에 대해 알바 보았습니다. 강의를 듣기 전에는 Memory의 종류는 RAM과 ROM 정도만 있는지 알았지만 RAM과 ROM의 세부적인 종류와 특징에 대해서는 알지 못했었습니다. 그리고 4K Byte Memory의 구성과 설명을 듣고 8K Byte Memory를 만드는 것에 대해 참고 할 책을 찾아보고 친구들에게 조언을 들으며 알게 되었습니다. 반도체 Memory만 만든다는 하이닉스에 관심이 있기 때문에 이 내용을 조금 더 깊게 알아가 머릿속에 이론이 쌓아놔야 한다는 생각이 들었습니다. 이 내용을 몇 번 더 확인하여 숙지하여 완전히 제가 아는 지식으로 만들도록 하겠습니다. 감사합니다.^^