전자회로
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소개글

전자회로에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1.반파정류회로

2.전파정류회로

3.브리지 회로

4.리미티 회로

5.전압배가기

6.클램프 회로

7.제너다이오드특성

8.피크정류기

본문내용

4 0 5V
r1 1 2 1k
D1 3 2 D1N4002
D2 2 4 D1N4002
.MODEL D1N4002 D (IS=14.11E-9 N=1.984 RS=33.89E-3 IKF=94.81 XTI=3
+ EG=1.110 CJO=51.17E-12 M=.2762 VJ=.3905 FC=.5 ISR=100.0E-12
+ NR=2 BV=100.1 IBV=10 TT=4.761E-6)
.end
◎전압배가기
.op
.tran 0ms 30ms
.probe
V1 0 1
+SIN 0 5v 1khz 0 0 0
c1 1 2 1uf
c2 0 3 1uf
D1 0 2 D1N4002
D2 2 3 D1N4002
.MODEL D1N4002 D (IS=14.11E-9 N=1.984 RS=33.89E-3 IKF=94.81 XTI=3
+ EG=1.110 CJO=51.17E-12 M=.2762 VJ=.3905 FC=.5 ISR=100.0E-12
+ NR=2 BV=100.1 IBV=10 TT=4.761E-6)
.end
◎클램핑회로
.op
.TRAN 0.1MS 10MS
VS 1 0 pulse(-1V 1V 0 0.01ps 0.01ps 1ms 2ms)
d 2 0 D1N4002
c 1 2 10uF
r 2 0 100
.MODEL D1N4002 D (IS=14.11E-9 N=1.984 RS=33.89E-3 IKF=94.81 XTI=3
+ EG=1.110 CJO=51.17E-12 M=.2762 VJ=.3905 FC=.5 ISR=100.0E-12
+ NR=2 BV=100.1 IBV=10 TT=4.761E-6)
.probe
.end
◎제너 다이오드 특성
.OP
.PROBE
.DC V1 -12V 12V 0.1V
V1 1 0 5v
R1 1 2 100
D 2 0 D1N750
.model D1N750D(Is=880.5E-18 Rs=.25 Ikf=0 N=1 Xti=3 Eg=1.11 Cjo=175p M=.5516
+Vj=.75 Fc=.5 Isr=1.859n Nr=2 Bv=4.7 Ibv=20.245m Nbv=1.6989
+Ibvl=1.9556m Nbvl=14.976 Tbv1=-21.277u)
*Motorolapid=1N750case=DO-35
*89-9-18 gjg
*Vz = 4.7 @ 20mA, Zz = 300 @ 1mA, Zz = 12.5 @ 5mA, Zz =2.6 @ 20mA
.END
◎ 피크 정류기
.OP
.PROBE
.TRAN 0MS 40MS
vs 1 0 SIN(0 2v 60HZ)
r 2 0 100k ( 10k, 1k 100 , 10 일 경우)
c 0 2 83.3uf
D 1 2 D1N4002
.MODEL D1N4002 D (IS=14.11E-9 N=1.984 RS=33.89E-3 IKF=94.81 XTI=3
+ EG=1.110 CJO=51.17E-12 M=.2762 VJ=.3905 FC=.5 ISR=100.0E-12
+ NR=2 BV=100.1 IBV=10 TT=4.761E-6)
.end
r=100k일 경우
r=10k일 경우
r=1k일 경우
r=100Ω일 경우
r= 10Ω일 경우
  • 가격1,000
  • 페이지수7페이지
  • 등록일2006.04.13
  • 저작시기2005.10
  • 파일형식한글(hwp)
  • 자료번호#344051
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