터, 포화 영역에서
동작하는 MOSFET은 드레인 전압
VDS에 무관하며 제곱 관계식에 따
라 게이트 전압 VGS에 의해서 결정되는 드레인 전류를 제공한다는 것을 알 수 있을 것이다. 따라서 포화된 MOSFET은 오른쪽 식과 같이 VGS에 의해서 제어되는 이상적인 전류원처럼 동작할 것이다.
모의실험
① Vt 측정
시뮬레이션 예측에 따르면 ID 값이 상승하기 시작하는 Vt는 1.6V 근방이었다.
② NMOS의 I-V 특성 곡선


실험방법
<실험 부품 및 장비>
DC Power Source, Multimeter, 1kΩ 저항, 10kΩ 저항, 0.1uF 커패시터, HEF4007UB
<실험 과정 - Vt 측정>
1. HEF4007UBP를 이용하여 옆의 회로를 꾸민다.
2. VDD를 10V로 고정시킨 후 VGG를 조절하여 VGS를 0V부터 5V까지 0.4V씩 증가시키면서 ID를 측정하여 표에 기록한다.
3. X축을 VGS, Y축은 ID를 갖는 그래프를 그린 후 Vt를 찾는다.
4. 구한 Vt를 이용하여 K를 구하고 표를 채운다.
<실험 과정 - NMOS의 I-V 특성 곡선>
1. HEF4007UBP를 이용하여 옆의 회로를 꾸민다.
2. VGS를 5V로 고정시킨 후 VDD를 조절하여 VDS를 0V부터 10V까지 0.5V씩 증가시키면서 ID를 측정하여 표에 기록한다.
3. VGS를 7V로 고정시킨 후 위의 과정을 반복하여 표에 기록한다.
4. 각각의 VGS에 대해 X축을 VDS, Y축은 ID를 갖는 그래프를 그린 후 λ, r0를 계산한다.