⑦ 표 11-1의 측정값을 이용하여 다이오드의 순방향 및 역방향 전류특성 곡선을 그린다.
3. 실험 장비
전압계
브레드 보드
4. 실험 결과 및 고찰
실험 결과
전류
입력전압
Ge Diode
Si Diode
순방향[]
역방향[]
순방향[]
역방향[]
1V
0.8 mA
0 mA
0.5 mA
0 mA
2V
2.1 mA
0 mA
1.8 mA
0 mA
3V
3.4 mA
0 mA
3.1 mA
0 mA
4V
4.7 mA
0 mA
4.4 mA
0 mA
5V
6.0 mA
0 mA
5.8 mA
0 mA
6V
7.3 mA
0 mA
7.2 mA
0 mA
7V
8.6 mA
0 mA
8.5 mA
0 mA
8V
9.9 mA
0 mA
9.8 mA
0 mA
고찰
- 위의 표를 보면 입력 전압이 증가 할수록 전류 값이 증가 한다. 이는 V=IR의 공식을 통
하여 설명 할 수 있다. 저항 값이 일정하다는 가정 하에 전압 값과 전류 값은 비례하기
때문에 전압이 증가할 경우 전류 값이 증가하게 된다. Ge Diode 와 Si Diode 의 전류 값
이 다른 이유는 각 저항 값이 다르다고 생각 하면 되겠다. 저항을 알 수 는 없지만 Ge
다이오드의 경우 가해주는 전압에 따라 거리는 전류의 차이가 1.3mA로 일정하였고, Si
다이오드의 경우에도 전압이 거의 일정하였다. 전압의 오차가 0.1mA씩 발생하는 원인은
전압계로 걸어주는 전압이 0.01V씩 차이가 나서 전압이 0.1mA씩 차이가 났는데 그로인
해 정확한 측정을 할 수 없었던 것이 원인인 것 같다. 역방향의 경우 실험값이 0으로 일
정하여 역 포화 전류는 측정 할 수 없었다.