본문내용
는 과정에서 회로를 구성한 도선에서의 미세한 저항, 열과 전기장의 형태로 에너지를 사용하기 때문이다.
③ 330μF에 대하여 방전현상을 관찰한 후 결과를 설명하라.
연결 전
직접 연결 후
(0Ω)
저항 연결 후
(1kΩ)
저항 연결 후
(10kΩ)
C1 전압
C2 전압
11.1 V
300mv
6.2 V
5.2 V
6.3 V
5.5 V
6.4 V
4.7 V
110μF 10kΩ
330μF 10kΩ
우리 9조는 330μF에 대하여 방전현상을 관찰한 결과, 110μF 와 330μF에서의 오슬로스코프의 파형을 서로 비교해봄으로서 커패시터의 용량이 크면 클수록 C1에서 방전이 되어 C2에 전압이 충전되는 속도가 느려진다는 것을 알 수 있었다. 이는 커패시터의 용량이 크면 클수록 충전되는 양이 많아지기 때문이다.
③ 330μF에 대하여 방전현상을 관찰한 후 결과를 설명하라.
연결 전
직접 연결 후
(0Ω)
저항 연결 후
(1kΩ)
저항 연결 후
(10kΩ)
C1 전압
C2 전압
11.1 V
300mv
6.2 V
5.2 V
6.3 V
5.5 V
6.4 V
4.7 V
110μF 10kΩ
330μF 10kΩ
우리 9조는 330μF에 대하여 방전현상을 관찰한 결과, 110μF 와 330μF에서의 오슬로스코프의 파형을 서로 비교해봄으로서 커패시터의 용량이 크면 클수록 C1에서 방전이 되어 C2에 전압이 충전되는 속도가 느려진다는 것을 알 수 있었다. 이는 커패시터의 용량이 크면 클수록 충전되는 양이 많아지기 때문이다.
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