|
포토레지스트 및 배향막 등 디스플레이용 화학재료 사업을 올해부터 크게 강화할 예정이다. ▪ Photolithography의 정의
▪ Photolithography의 세부 공정 및 재료
TFT 부분
COLOR FILTER 부분
▪ Photolithography의 현 사용현황 및 기업
|
|
|
공정은 쉽게 이야기하면 전기가 통하는 길을 만들어주는 과정이다. 알루미늄, 티타늄, 텅스텐 같은 금속 재료를 얇은 막으로 증착해 회로 내 소자를 작동할 수 있게 한다. 일곱 번째, 전기적 특성 검사가 이루어지는 EDS 공정은 \'웨이퍼 테스트
|
|
|
포토레지스트제거로 끝나는 일련의 공정이지만, 그 과정의 각 스텝은 모두 상호간에 영향을 주고받기 때문에 개별적으로 취급할 수 없다.
◎ 참고문헌 : 반도체 제조장치 입문, 전전 화부, 성안당
집적회로 설계를 위한 반도체 소자 및 공정,
|
|
|
및 공정, 정항근, 홍릉과학
실리콘 공정기술 입문, 김종성, 동영 출판사
박막공학의 기초, 최시영, 일진사 2. 리소그래피(lithography)
1) 리소그래피란?
2) 리소그래피 기술의 개요
3) 리소그래피 장치의 분류
4) 리소그래피 방법
① Photoresist
|
|
|
3. 기술개발 추이
3.1 기술 개발 현황
3.2 에칭 장비
3.3 에칭 공정
3.4 모델링 및 전산모사
4.기술의 시장성
4.1 기술 분류 별 동향
4.2 국가별 출원 점유율 동향
4.3 국내 중소기업 출원인 특허출원 동향
5. 결론
6. 인용문헌
|
|
|
공정 중 웨이퍼의 내부에 이온을 주입하여 웨이퍼가 전기적 특성을 가지도록 하는 이온 주입공정에서 사용되는 이온 주입 장치 및 이온 주입 방법에 관한 것이다.
구성
및
작용
기존의 방식은 포토리소그래피를 사용하기 때문에 시간적, 비
|
|
|
, 인산소다
(네가티브용) n-부틸아세테이트
(포지티브용) H2)
성분불명의 전용박리제
유기클로로실란, 헥사메틸디실라잔
건조
증기건조
프레온, 에탄올, 이소프로필알콜 제5장 반도체 공정기술
5.1 반도체 공업
5.2. 반도체 제조 원료
|
|
|
Enhanced Chemical Vapor Deposition)
5.3. APCVD
6. 분자빔 결정법(MBE)
7. 박막 증착의 예
7.1. 실리콘 박막 트랜지스터(TFT)
8. PVD와 CVD의 차이 비교
9. 증착법의 실제 적용 분야
9.1. 증착법의 기술전망
10. 포토리소그래피
11. 식각
|
|
|
및 응용 기술 개발
ㆍ차세대 나노 메모리 개발
ㆍ차세대 반도체 architechure 개발
ㆍ차세대 나노 전자 소재및 나노 광소자 개발
ㆍ차세대 MEMS 기술 개발
ㆍ펨토秒 레이저 미세 가공기술 개발
ㆍ광결정, Photonic Chip 개발
ㆍMEMS/NEMS 프로세스에 적용
|
|
|
공정을 거친다. 진공 중 소성하는 공정은 패널 내부의 표면에 붙어 있는 오염물을 제거시키고 보호층을 활성화시킨다. 상판과 하판을 봉합한 후 배기관을 통하여 공기를 적당한 진공도로 유지시키면서 빼낸다. 마지막으로 패닝 혼합기체를
|
|
메뉴펼치기
