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홀효과 실험
Hall Effect
1. 실험 소개
-실험 목적
은과 텅스텐, 두 금속에 대하여 홀 전압과 자속밀도의 비례를 검증하고 전하 캐리어의 극성을 결정한다. 또한, 홀 상수 전하 캐리어의 농도를 계산한다.
-실험 이론
홀효과는 로렌츠 힘에 의해
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극에 따라 전압의 변화가 다르게 나타난다. 그리고 그 차이를 알아보고 비교 해보는 것이 이 실험의 목표라고 할 수 있다. 홀효과는 전하가 한 쪽으로 치우침으로 인해 전하가 몰려있는 곳과 그렇지 않은 곳 사이에 전위차가 발생하는 현상을
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홀효과는 반도체의 특성을 연구하는 실험인데 반도체의 비저항, 전도도, 이동도, 온도의 의존성에서 불순물의 활성화 에너지와 반도체의 산란방식에 대한 것을 알 수 있다. 우리 실생활에서 Hall Effect는 비디오테입의 움직임을 감지하는 VCR헤
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이론
1. 물리 상황
≪ 그 림 ≫
홀효과를 실험하기 위한 물리적 상황은 위 그림과 같다. 금속이나 또는 반도체에 전류를 흘려 보내고 전류와 수직한 방향으로 자기장을 걸어준 뒤 자기장과 전류 모두와 수직한 방향의 전압을
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HgTe) 반도체내에 실험적으로 입증되었다.
양자 스핀 홀 상태의 존재를 처음으로 제안한 것은 C.L.케인과 E.J.멜레이다. 그들은 정수 양자홀 효과를 보이는 F.D.M.할데인의 그래페네를 위한 초기 모형을 사용하였다. 케인과 멜레의 모형은 두 개의
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