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이미터 바이어스 : 가 증가하면 안정성이 감소한다.
전압 분배기 바이어스 : 가 증가하면 안정성이 감소한다.
참고
문헌
설계 방법
전자 회로 - Robert L. Boylestad, LOUUS NASHELSKY 저
표준 저항 값 결정
NAVER 지식 IN 표준 저항 값
BJT 설계
기초전자회로
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BJT
BJT(Bipolar Junction Transister)
1948년 Schokley, Brattain, Bardeen 에 의해 발명
Base 전류로 Collector 전류를 제어하는 전류제어 소자
Carrier 입장에서 보면 전자와 정공을 모두 이용하여 전류를 생성하는 소자 쌍극성 소자(bipolar device)라고 부름
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실험. BJT 차동 증폭기
1.Orcad 결과
<차동쌍의 컬렉터 전류 대 차동 입력 전압 특성>
-회로-
-파형-
<차동쌍의 차동 출력 전압 대 차동 입력 전압 특성>
-회로-
-파형-
<차동쌍의 입력 및 출력 전압 파형>
-회로-
-파형-
<차동쌍의 입력
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Power BJT, Power FET,
Thyristor, IGBT
스위칭 소자에 대한 특성 분석
[1] BJT
➠ Bipolar Junction Transistor
➠ Switching , Amplifier
➠ 1200V,400A 정격에도 사용 가능 , 10kHz 이상에서 동작하는 변환기에도 사용
〔다수 및 소수 캐리어에
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먼저 BJT의 구조에 대해서 설명해드리겠습니다. 제가 저번 발표를 할 때 다이오드에 대해서 발표를 하였는데
BJT는 그 다이오드 즉 PN정션에서 P 혹은 N이 추가된 형태로 보시면 됩니다. 그렇게 되면 NPN형과 PNP형 2가지가 존재하게 됩니다.
보
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실험목적
1. 여러종류의 BJT 바이어스 회로 동작을 이해한다.
2. 베이스 바이어스 회로의 동작점을 결정한다.
3. 전압 분배기 바이어스 회로의 동작점을 결정한다.
4. 바이어스 동작점의 안정성을 이해한다.
5. Current Mirror 회로의 동작점을
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.
3. 예비 문제
A. BJT의 동작영역을 와 를 사용하여 구분하라.
- <표 1>을 참고.
B. BJT에서 컬렉터 전류의 소신호 근사를 설명하라.
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C. 소신호 모델 파라미터 과 의 물리적 의미를 설명하라.
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에 대한 는 전류 의 기울기이다.
D. 얼리 전압 와
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5 pspice 시뮬레이션
1) BJT 전류 전압 특성곡선
2) BJT turn-on voltage
3) BJT Ib, Ic, Ie 전류값(시간에 따른)
4) 3) BJT Ib, Ic, Ie 전류값(전압에 따른)
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의 변화가 생기는 이유를 설명해 보시오.
-> (b)의 경우는 Re값이 변함에 따라 BJT의 에미터단의 저항이 바뀌게 되고, 그에 따라 에미터단에 흐르는 전류가 많아지고, 콜렉터단에 흐르는 전류도 커져서 전압이득이 커졌다.
(c)의 경우는 Re가 0
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입 출력 임피던스가 높아서 전압 증폭 소자로 사용
- 소형화 가능, 전력소비 적어 대규모 IC에 적합(u-p, 메모리 등)
가장대표적인 형태인MOS-FET (metal oxide semiconductor)
3..BJT와 FET 차이점(비교)
BJT는 B에 직접 전류를 흐르게 하는 반면에 FET는 G에 전
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