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Power BJT, Power FET,
Thyristor, IGBT
스위칭 소자에 대한 특성 분석
[1] BJT
➠ Bipolar Junction Transistor
➠ Switching , Amplifier
➠ 1200V,400A 정격에도 사용 가능 , 10kHz 이상에서 동작하는 변환기에도 사용
〔다수 및 소수 캐리어에
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Thyristor)는 가장 최근에 상용화된 전력반도체 소자로서GTO 사이리스터의 전류 제어방식의 드라이브 특성을 개선한 전압제어 스위치이며,GTO 사이리스터와 비교가 안될 정도로 매우 높은 턴오프 전류이득을 갖는다.
그림 2-37의 (a)와 (b)는 P형 MCT
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BJT
MOSFET
광전자소자(LED, LD)
IC(LSI, VLSI, ULSI)
TFT(Thin Film Transistor)
Photo voltaic device(solar cell, photodiode)
Quantum well, Quantum dot, Quantum wire
고속 Ⅲ-Ⅴ소자(MESFET, HEMT, HBT)
초고주파 소자(PIN diode, IMPATT diode)
Power소자(thyristor, ion sensor, pressure sensor, IR imaging)
5.
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Power consumption을 최소화 시키는 Optimaze Point에 근접시켰다. 그 결과 맨 처음 설계했던 BJT Amp보다 Power consumption을 10배이상 줄일 수 있었다.
최종적으로 우리 조는 input-impedance 와 output-impedance를 최대한 만족시키는 선에서 제 1우선순위를 power consum
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Power consumption을 최소화 시키는 Optimaze Point에 근접시켰다. 그 결과 맨 처음 설계했던 BJT Amp보다 Power consumption을 10배이상 줄일 수 있었다.
최종적으로 우리 조는 input-impedance 와 output-impedance를 최대한 만족시키는 선에서 제 1우선순위를 power consum
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