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실험목적
- 직렬 및 병렬로 구성된 다이오드 회로의 해석 능력을 개발한다.
이론개요
- 문턱전압이란?
- 전압강하란?
- 다이오드의 직렬구성
- AND게이트
- 정논리란?
- 브릿지 회로란?
* 문턱전압 이란?
P형 반도체는 +, 즉 정공이 많은 반
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3 V
g. VO를 측정하고 순서 4(f)의 결과와 비교하라.
VO (측정값) = 0.58 V
5. 브리지 구조
a.다음 회로를 구성하고 저항값 들을 측정하고 기록하라.
R1(meas) = 0.98kΩ
R2(meas) = 2.14kΩ
R3(meas) = 2.14kΩ
b. 순서 1에서 측정한 두 다이오드의 문턱전압을 이용하여
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전압을 표시하라.
I. 위의 그림에 그려진 파형의 DC 갑을 계산하고 측정하라.
(계산치)Vdc = 1.272V
(측정치)Vdc = 1.01V
3) 반파정류
a. 아래 그림의 회로를 구성하라. 저항 R의 측정치를 기록하라.
b. 단계 1)의 문턱전압을 이용하여 위의 그림의 이론상
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전압은 저항에 걸리므로 전압이 볼테이지 디바이드룰에따라 나오게 되어 네 번째 실험에 비해 낮은 전압이 측정되는 것을 볼 수 있다. 반파 및 정파 정류
1. 실험 결과 데이터
1) 문턱전압
2) 반파정류
3) 반파정류(계속)
4) 반파정류 계
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결론 지었다. 1. 실험 결과 데이터
1) 문턱전압
2) 병렬클리퍼
3)병렬 클리퍼 (계속)
4)병렬클리퍼 (정현입력)
5) 직렬 클리퍼
6) 직렬클리퍼
7)클램퍼
8) DC 배터리를 가지는 클램퍼
9) 클램프 (정현파 입력)
2. 실험 결과 및 검토
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탕으로 두 입력 신호를 논리‘0’으로 리셋 시키는 구조를 사용함으로써 Up과 Down신호가 충분한 시간동안 논리‘1’의 값을 유지할 수 있도록 설계하였고 이에 따라 위상주파수 검출기가 NAND 게이트의 문턱전압에 상관없이 동작하게 함으로써
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