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실험목적
- 직렬 및 병렬로 구성된 다이오드 회로의 해석 능력을 개발한다.
이론개요
- 문턱전압이란?
- 전압강하란?
- 다이오드의 직렬구성
- AND게이트
- 정논리란?
- 브릿지 회로란?
* 문턱전압 이란?
P형 반도체는 +, 즉 정공이 많은 반
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3 V
g. VO를 측정하고 순서 4(f)의 결과와 비교하라.
VO (측정값) = 0.58 V
5. 브리지 구조
a.다음 회로를 구성하고 저항값 들을 측정하고 기록하라.
R1(meas) = 0.98kΩ
R2(meas) = 2.14kΩ
R3(meas) = 2.14kΩ
b. 순서 1에서 측정한 두 다이오드의 문턱전압을 이용하여
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전압을 표시하라.
I. 위의 그림에 그려진 파형의 DC 갑을 계산하고 측정하라.
(계산치)Vdc = 1.272V
(측정치)Vdc = 1.01V
3) 반파정류
a. 아래 그림의 회로를 구성하라. 저항 R의 측정치를 기록하라.
b. 단계 1)의 문턱전압을 이용하여 위의 그림의 이론상
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전압은 저항에 걸리므로 전압이 볼테이지 디바이드룰에따라 나오게 되어 네 번째 실험에 비해 낮은 전압이 측정되는 것을 볼 수 있다. 반파 및 정파 정류
1. 실험 결과 데이터
1) 문턱전압
2) 반파정류
3) 반파정류(계속)
4) 반파정류 계
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결론 지었다. 1. 실험 결과 데이터
1) 문턱전압
2) 병렬클리퍼
3)병렬 클리퍼 (계속)
4)병렬클리퍼 (정현입력)
5) 직렬 클리퍼
6) 직렬클리퍼
7)클램퍼
8) DC 배터리를 가지는 클램퍼
9) 클램프 (정현파 입력)
2. 실험 결과 및 검토
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오차가 발생한 이유는 을 지정해 줄 때 이용한 피스파이스의 PARAMETERS의 이용이 아직 미숙하여 약 6배의 잘못된 결과가 나온 것이라고 생각됩니다. 이론값을 구할 때는 문턱전압의 값을 3V라고 생각하고 계산하였습니다.
공식 를 이용하여 를
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내는데 사용된다.
이와 같이 실제 다이오드의 특성은 이상적인 다이오드의 특성과는 차이가 난다. 실제 다이오드의 특성을 그림 1-3에 나타내었다.
그림 1-3. 실제 다이오드의 전압-전류특성
문턱전압은 다이오드의 종류마다 차이가 나겠지
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림 1-6. 다이오드 2차 근사 해석법에 의한 등가회로
[3] 3차 근사 해석법(Third Approximation)
인가전압이 문턱전압보다 높아지면 다이오드의 전류는 급격히 증가하게 된다. 즉, 전압의 변화량에 비해 전류의 변화량이 훨씬 크다. 이는 다이오드의
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문턱전압
전류가 갑자기 증가하기 시작하는 전압을 다이오드의 문턱전압이라 한다.
▲ 비선형 소자
다이오드는 비선형 소자이다. 0.7V 이하일 때, 다이오드를 흐르는 전류는 매우 적지만 0.7V를 넘는 순간 전류가 갑자기 증대한다. 이러한 동작
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전압-전류 특성도 알 수 있었고, 문턱전압이라는 가 무었을 의미하는지도 알게 되었다. 아직 전자회로 이론 시간에 배우지 않은 내용이라 생소한 부분들이 많이 있지만, 예비보고서 이론 조사를 하면서 전반적인 지식을 얻을 수 있어서 전자
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